Idea-等离子体溅射镀硅

发布时间:2021-03-10

第一组:前期在玻璃基底上镀Si薄膜,功率为220W10minXRD测试发现在24°附近出现馒头峰,查阅文献得到,该峰型为非晶硅;且文献中提及在600℃退火处理后非晶硅出现晶化的过程,逐渐呈现出多晶硅的峰型,因XRD故障未进行退火样品测试。

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实验结果:进行膜厚测试,发现所镀Si薄膜的膜厚跟所镀时间不成正比关系。(膜厚仪进行多次校准,且所镀膜厚重复性较好),拟将厚度为2040160nm的样品寄回客户检测,确定所镀厚度及膜层峰型。

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参考文献:1摘自《非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析》

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2、摘自《基于射频磁控溅射技术高容量硅负极薄膜材料可控制备研究》

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特别声明:

1. 以上所有实验仅为初步探究,仅供参考。由于我们水平有限,错误疏漏之处欢迎指出,我们非常期待您的建议。

2. 欢迎您提出其他实验思路,我们来验证。

3. 以上实验案例及数据只针对科晶设备,不具有普遍性。

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