ZnS 晶体基片
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II - VI族晶体有可能在不久的将来用于突出拍摄上。他们的直接带隙的性质和大范围的透明度以及一个带隙,为有趣的设备提供了广泛选择的可能性。
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产品名称

ZnS 晶体基片


技术参数

晶体结构:                     

立方晶系                               

晶格常数:

5.41Å  

密度:

4.08 g/cm3

熔点:

1850 ℃

热容:

0.469 J/g·k

热膨胀系数(10-6/K):

6.8

折射率:

2.34

透过波长:

2~12 um

热导率:

16 W/(m.k)  at300K

生长方式:

布里奇曼法


产品规格

常规晶向:                

<110>、<111>

常规尺寸:

10x10x1.0mm、5x5x1.0mm                    

抛光情况:

单抛、双抛

表面粗糙度:

<5A

注:尺寸及方向可按照客户要求定做。


晶体缺陷

人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷


标准包装

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装


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