4H-SiC晶体基片
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SiC属于第三代半导体基础材料,禁带宽度大于2eV。其中4H-SiC禁带宽可以达到3.26eV,迁移率高:900cm2/V.s。
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产品名称

 4H-SiC晶体基片


技术参数

晶体结构:                    

六方晶系                                  

晶格常数:

a=3.08Å  c=10.05Å

熔点2827℃

硬度(Mohs):         

9.2

方向:

生长轴或偏(0001) 3.5°

密度(g/cm33.16

带隙:

2.93eV (间接)

导电类型:

N导电

电阻率:

0.1-0.01 ohm-cm

介电常数

e(11) = e(22) = 9.66     e(33) = 10.33

导电率:

5W / cm·K

生长方式:

MOCVD(有机金属化学气相沉积)



产品规格

常规晶向:                      

常规尺寸:

10x5mm 10x10mm,dia2"x0.33mm,dia4"x0.35mm                     

抛光情况:

单抛、双抛

抛光面:

常规单抛为“Si 面抛光,可按要求做“C”面抛光

抛光面粗糙度:

15A

注:尺寸及方向可按照客户要求定做


晶体缺陷

人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷



标准包装

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装



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