Si晶体基片
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化学符号为Si,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料
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产品名称

Si 单晶基片


技术参数

晶体结构:               

立方晶系

晶格常数:

a=5.4301 Å 

掺杂类型:

N型不掺杂、N型掺P、N型掺As、N型掺Sb、P型掺B       

硬度(mohs):

6.5

电阻率:

10000~0.001Ω.cm

超导率(w/m.k):

149

密度:

2.329(g/cm3)

熔点:

1414℃

热膨胀系数(/k):

2.6×10-6

生长方法:

CZ和FZ



产品规格

常规晶向:                     

 

常规尺寸:

Dia4”x0.5mm、dia2”x0.5mm        

抛光情况:

单抛、双抛、细磨

抛光面粗糙度:

< 10A

注:尺寸及方向可按照客户要求定做。



晶体缺陷

人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷



标准包装

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装


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