InP晶体基片
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InP非常适用于高频器件,如高电子迁移率晶体管和异质结双极晶体管(HBT)等方面。InP基器件在毫米波、通讯、防撞系统、图像传感器等领域有广泛应用
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产品名称

磷化铟(InP)晶体基片

技术参数

晶体结构:             

立方晶系                       

晶格常数:

 a =5.4505 Å

掺杂:

None;Sn;S;Fe:Zn

密度:

4.81g/cm3

硬度:

3 Mohs

导电类型:

N;N;N;Si;P

折射率:

3.45

载流子浓度:

1-2x1016     1-3x1018
1-4x1018     .6-4x1018

位错密度:

<5x104 cm-2

生长方法:

LEC

熔点:

1062℃

弹性模量:

7.1E11dyn  cm-2

产品规格

常规晶向:             

<100>  <111>                   

常规尺寸:

2"x0.5mm  10x10x0.5mm

抛光情况:

单抛

表面粗糙度:

<15A

注:尺寸及方向可按照客户要求定做。

晶体缺陷

人工金属单晶存在常见晶体缺陷,表面可能会有小黑点,微小气泡等

标准包装

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

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