BGO晶体
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锗酸铋(Bi4Ge3O12简称BGO)是一种具有立方结构、无色透明的无机氧化物晶体,它不溶于水,在高能粒子或高能射线(x-射线、γ-射线)激发下能发出峰值为480nm波长的绿色荧光。BGO晶体具有强阻止射线能力、高闪烁效率、优良的能量分辨率及不潮解等优点,所以是一种优良的闪烁体,广泛应用于高能物理、核物理、空间物理、核医学、地质勘察和其它工业领域。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
产品名称

锗酸铋(Bi4Ge3O12)晶体基片


技术参数

晶体结构:

立方晶系

晶格常数:

a=10.518Å

纯度:

>99.99%

密度:

7.12g/cm3

硬度:

5( mohs)

熔点:

1050 ℃

透过范围:

350~5500nm

电光系数 :

 r41=1.03x10-12m/V 

折射率:

 2.098@ 632.8nm

激发光谱:

 305nm

临界能量:     

 10.5Mev

能量分辨率:

 20%511 keV @                   

生长方法:

提拉法


产品规格

常规晶向:

(100)

晶向公差:

±0.5°内

常规尺寸:

10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm

抛光情况:

单抛、双抛

抛光面粗糙度:

Ra<5A

注:可按照客户要求加工尺寸和晶向


晶体缺陷

人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。


标准包装

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装


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