CdSe晶体
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硒化镉单晶是一种重要的直接跃迁带隙II-VI族半导体材料,具有优异的光学和电学性能。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
产品名称

硒化镉(CdSe)晶体


技术参数

晶体结构:

六方晶系

晶格常数:

a= 4.2985 Å;c=7.015Å

密度:

5.81g/cm3

熔点:

1240℃

折射率:

2.42

带隙:

1.74 eV

电阻率:            

低阻(R<1 ohm-cm);高阻(R>10^6 ohm-cm) 



产品规格

常规晶向:          

(0001)、(10-10)           

晶向公差:

±1°

常规尺寸:

d10x10x1.0mm±0.1mm

抛光情况:

双抛

抛光面粗糙度:

60/40

注:可按照客户要求加工尺寸及方向。


晶体缺陷

人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。


标准包装

1000级超净室,100级超净袋、插盒或单片盒封装

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