CdZnTe晶体
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CdZnTe晶体是一种闪烁矿结构的连续固溶体,改变Zn的组分,其晶格常数在0.6100 -0.6482urn之间连续可调,与HgCdTe外延膜的晶格匹配性好。有良好的导电性能;较高的吸收系数;温和的热膨胀性;
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
产品名称

Cd1-xZnxTe晶体基片


技术参数

晶体结构:

立方晶系

晶格常数:

a = 6.483 – 6.446Å

密度:

5.605g/cm3

熔点:

1975℃

热导率:

30W /m.k at 300K

热膨胀系数:

6.5 // a  3.7 // c 10-6/K

透过波长:     

0.4 ~ 0.6μm                  


产品规格

常规晶向:

(111)

型号:

P型   其中Zn占14%

电阻率:

电阻率:1*10(6)

常规尺寸:

10x10x0.5mm、10x5x0.5mm、5x5x0.5mm

抛光情况:

单抛、双抛

抛光面粗糙度:

<15A

注:可按客户要求定制特殊的方向和尺寸。


晶体缺陷

人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。


标准包装

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装


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