GaAs晶体
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砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构。砷化镓是半导体材料中,兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小,导热性差,不适宜制作大功率器件。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
产品名称

砷化镓(GaAs)晶体基片


技术参数

晶体结构:              

立方晶系

晶格常数:

a=5.6534Å

导电类型:

N型掺Si;N型掺Te;不掺杂;P型掺Ga         

熔点:

1237°C

禁带宽度:

1.4电子伏

介电常数:13.1

位错密度:

<5x103cm^2

迁移率:

(3500-3600)cm2/vs 等

生长方法:

VGF生产方法

产品规格

常规晶向:              

<100>、<110>、<111>

常规尺寸:

10x10x0.35mm;dia2″x0.35mm;           

抛光情况:

单抛、双抛

表面粗糙度:

<15A

注:尺寸及方向可按照客户要求定做。

晶体缺陷

人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。

标准包装

1000级超净室100级超净袋

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