GaN晶体
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氮化镓是氮和镓的化合物,是一种直接能隙的半导体,由于具有化学稳定性好、热传导性能优良、击穿电压高、大功率,近年在光电子领域和高温高频电子应用备受关注,是目前最优秀的半导体材料。
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产品名称

氮化镓(GaN)晶体基片

技术参数

晶体结构:                 

六方晶系

晶格常数a= 3.186 Å ,  c = 5.186 Å         

传导类型:

N型掺Si;N型不掺杂

可用表面积:

>90%

位错密度:

(5-9)x105Ω.cm

电阻率:

R<0.05 Ω.cm;R<0.1Ω.cm

介电常数:8.9

TTV:

≤15um

密度6.15(g/cm3)

生长方法:

HVPE(氢化物气相外延法)

产品规格

常规晶向:                 

(0001)

常规尺寸:


10.5x10x0.35mm、5x5x0.35mm            

表面粗糙度:

<5Å

注:尺寸可按照客户要求定做。

晶体缺陷

人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。

标准包装

1000级超净室100级超净袋或单片盒装

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