Ge晶体
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Ge 主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
产品名称

Ge晶体基片

技术参数

晶体结构:                  

立方晶系

晶格常数:

5.6754 Å

密度:

5.323 g/cm3 

熔点:

937.4 ℃

介电常数:

16.2

热导率(w/m·k):

60.2

掺杂物质:

不掺杂;掺Sb;掺In或Ga;

类型:

N型 和 P型

电阻率 W·cm:

>35  0.05  0.05-0.1

EPD:

< 4x103/cm2    < 4x103/cm2   < 4x103/cm2  

生长方法:

直拉法

产品规格

常规晶向:                  

<100>、<110>、<111>

晶向公差:

±0.5°

常规尺寸:

10x10x0.5mm,10x5x0.5mm,dia2",dia3"           

抛光情况:

单抛、双抛

表面粗糙度:

< 5A

注:尺寸及方向可按照客户要求定做。

晶体缺陷

人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。

标准包装

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

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