MgO:LiNbO3晶片
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纯同成份铌酸锂晶体最大的缺点是抗激光损伤阙值很低,这限制了它的应用领域。当掺入5mol%MgO后,所生长MgO:LN晶体的抗激光损伤阙值提高1-2个数量级,极化反转电压从21KV/mm降至6KV/mm,紫外吸收边紫移至310mm,OH-吸收峰红移至3535cm-1,这些变化极大的拓展了LN晶体的应用范围。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
产品名称

光学级掺镁铌酸锂(MgO:LiNbO3)晶片


产品规格

晶体结构:

三方晶系

晶格常数:

a=5.147Å  c=13.856Å

密度:

4.7g/cm3

熔点:

1253℃

生长方法:

提拉法                         


产品规格:

常规晶向:

Z cut

晶向公差:

±0.5°

常规尺寸:

10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm5x5x0.5mm

抛光情况:

单抛、双抛、细磨

注:尺寸及方向可按照客户要求定做


晶体缺陷:

人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。


标准包装:

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装


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