PMN-PT晶体
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用改进的Bridgman法生长出了高质量的大尺寸弛豫铁电单晶PMNT,该单晶具有优异的压电性能、非线性光学性能和热释电性能,不仅可以满足应用需要成为新一代高性能压电换能器、非线性光学器件和光电探测器件(如红外探测器)的核心材料,而且还为广大的科研人员提供了良好的研究载体,欢迎国内外各科研院所和公司企业定购我们的单晶产品,进行相关的科学研究及器件研发和生产。
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产品名称

PMN-PT晶体基片


技术参数

晶体结构:

赝立方晶系

晶格常数:

a=~4.024 Å

密度:

8.1 g/cm3

熔点:

1280°C

硬度:

 3.5mohs

热膨胀系数10.4x10-6/K

耦合常数:

k33(longitudinal mode) >92%

kt(thickness mode) 59-62%

k33'(beam mode) 84-88%

压电系数d33 :

>2000 pC/N

介电常数e(at 1kHz after poling) :

4000 – 6000

介电损耗:

tan d<0.9

居里温度 :

135-150°C

生长方法:

坩埚下降法                        


产品规格

常规晶向:                        

 

晶向公差:                       

±0.5°

常规尺寸:

10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm

抛光情况:

单抛、双抛、细磨

抛光面粗糙度

Ra<15A (单晶内部有畴)

注:尺寸及方向可按照客户要求定做


晶体缺陷

人工金属单晶存在常见晶体缺陷等。


标准包装:

1000级超净室,100级超净袋封装


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