SiO2晶体
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SiO2单晶水晶片是一种极好的基片,用于无线通讯工业的微波滤波器。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
产品名称

SiO2 晶体基片

技术参数

 

晶体结构:         

六方晶系                             

晶格常数:

a=4.914Å  c=5.405 Å

密度:

2.533   

熔点:

1700℃ ( phase transition point: 573.1oC)

莫氏硬度:(Mohs)

7.0    

折射率:

1.544

介电常数:

3.6

热膨胀系数

5×10-7/k

生长方法:

水热法


产品规格

常规晶向:         

Y、X或Z切,Y在30º~42.75 º ±5分范围内旋转任意值   

常规尺寸:

 10x10x0.5mm;dia2"x0.5mm;dia4"x0.5mm;

抛光情况:

单抛、双抛

抛光面粗糙度:

< 5A

注:尺寸及方向可按照客户要求定做。


晶体缺陷

人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷

标准包装

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装。

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