磷化镓(GaP)晶体基片
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技术参数

晶体结构

立方      a =5.4505 Å

生长方法:

提拉法

密度:

4.13  g/cm3

熔点:

1480 ℃

热膨胀系数:

5.3 x10-6

掺杂物质:

掺S ;不掺杂

热传导率:

2~8 x1017/cm3 ;4~ 6 x1016/cm3

电阻率W.cm:

~0.03  ;~0.3

EPD (cm-2 ):

 < 3x10E5 ;< 3x10E5


常规尺寸

常规晶向:<111>;常规尺寸:10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛; 

注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

备注

1000级超净室100级超净袋

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