LGS硅酸镓镧晶体基片
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可用于制造压电和电光器件,它具有高温压电性能。机电耦合系数是石英的3倍,可用于制造高温传感器和高功率、高重复率电光Q开关
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
产品名称

LGS硅酸镓镧晶体基片

技术参数

晶体结构:                 

三方结构

晶格常数:

a=8.170 Å   c=5.099 Å          

密度:

5.75 g/cm3

熔点:

1470g/cm3

硬度(Mohs):

5.5~6.5

生长方法:

提拉法

机电耦合系数有

0.28~0.46

产品规格

常规晶向:                 

<100>  <001>                 

定位:

X-cut

常规尺寸:

10x10x0.5mm

抛光情况:

双抛

表面粗糙度:

<5A

注:尺寸及方向可按照客户要求定做。

晶体缺陷

人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。

标准包装

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

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