WS2二硫化钨
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应用于半导体电子器件、光学器件等研究。
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产品名称

WS2二硫化钨


技术参数

类型:

CVD法人工合成

纯度:

>99.99%

外观:

黑色

电导:

半导体

带隙:

单层直接带隙 约2.0 eV

常规尺寸:

~ 3x3x0.1 mm 面积≥10平方毫米

晶体结构:六方晶系
晶体常数:a=3.15Å     c=12.27Å     α=β=90°   γ=120°
生长方法:分子外延, 化学气相沉积


标准包装

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装


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